[发明专利]多晶硅电阻器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210507576.8 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102969228B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 江红 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅电阻器结构及其制造方法。一种多晶硅电阻器结构制造方法包括第一步骤，用于在硅片中形成隔离区；第二步骤，用于在隔离区上形成第一多晶硅层及其侧壁；第三步骤，用于在第一多晶硅层的顶部形成隔离物，其中隔离物不覆盖第一多晶硅层的两端的顶部；第四步骤，用于在隔离物上形成第二多晶硅层，其中第二多晶硅层不覆盖第一多晶硅层的两端的顶部；第五步骤，用于以第二多晶硅层为掩膜进行离子注入，以便在第一多晶硅层的暴露的两端的表面形成金属硅化物，并且使第一多晶硅层的未暴露的部分的表面不形成金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电阻器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：第一步骤，用于在硅片中形成隔离区；第二步骤，用于在隔离区上形成第一多晶硅层以及第一多晶硅层的侧壁；第三步骤，用于在第一多晶硅层的顶部形成隔离物，其中隔离物不覆盖第一多晶硅层的两端的顶部；第四步骤，用于在隔离物上形成第二多晶硅层，其中第二多晶硅层不覆盖第一多晶硅层的两端的顶部；第五步骤，用于以第二多晶硅层为掩膜进行离子注入，以便在第一多晶硅层的暴露的两端的表面形成金属硅化物，并且使第一多晶硅层的未暴露的部分的表面不形成金属硅化物；其中，所述第一多晶硅层利用存储器生产过程中用于源极线的多晶硅层的生产步骤制造出来，其侧壁利用存储器生产过程中用于隔离浮栅和源极线的侧墙结构的生产步骤制造出来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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