[发明专利]相偏移光罩的缺陷处理方法在审
| 申请号： | 201210484778.5 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103838077A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 黄金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/80;G03F1/82;G03F1/84 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相偏移光罩的缺陷处理方法，直接寻找缺陷，并进行刻蚀，之后进行第一次清洗和第二次清洗，分别将刻蚀液及缺陷处理后的残留物清洗掉，如此节省了大量的时间，同时，相偏移光罩的相位和穿透度在处理缺陷过程后不达标的可能性也降低了。此外，第一次清洗去除刻蚀液避免了第二次清洗时酸液与刻蚀液等发生反应形成新的缺陷，这对于缺陷数量少的相偏移光罩有着较高的处理效率，有利于高效生产。 | ||
| 搜索关键词： | 偏移 缺陷 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种相偏移光罩的缺陷处理方法，其特征在于，包括：提供待处理的相偏移光罩；通过对准设备找到缺陷；对所述缺陷进行刻蚀；对所述相偏移光罩进行第一次清洗；及对所述相偏移光罩进行第二次清洗。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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