[发明专利]用于形成集成电路的方法

摘要

本申请涉及用于形成集成电路的方法。具体地，一种用于形成集成电路的方法，包括步骤a)在第一半导体晶片的前表面中形成开口，开口的深度小于10μm并且将开口填充有传导材料；b)在前表面的有源区中形成部件的掺杂区域，在前表面上形成互连层，以及将支持互连层的表面进行平坦化；c)利用绝缘层覆盖第二半导体晶片的前表面，以及将涂敷有绝缘体的表面进行平坦化；d)将第二半导体晶片的涂敷有绝缘体的前表面施加抵靠在第一半导体晶片的支持互连层的前表面上，以获得在两个晶片之间的键合；e)从第二半导体晶片的后表面形成过孔，以到达第一半导体晶片的互连层；以及f)对第一半导体晶片进行减薄以到达填充有传导材料的开口。

主权项

一种用于形成集成电路的方法，所述集成电路具有能够被放置在另一集成电路、印刷电路或者封装上的表面，并且所述集成电路具有能够接收附加集成电路的另一表面，所述方法包括如下步骤：a)在第一半导体晶片的前表面中形成开口，所述开口的深度小于10μm并且使用传导材料填充所述开口；b)在所述前表面的有源区中形成部件的掺杂区域，在所述前表面上形成互连层，以及将支持所述互连层的所述表面进行平坦化；c)利用绝缘层覆盖第二半导体晶片的前表面，以及将涂敷有绝缘层的所述表面进行平坦化；d)将所述第二半导体晶片的涂敷有所述绝缘层的所述前表面施加在所述第一半导体晶片的支持互连层的所述前表面上，以获得在两个晶片之间的键合；e)从所述第二半导体晶片的后表面形成过孔，以到达所述第一半导体晶片的所述互连层；以及f)对所述第一半导体晶片进行减薄以到达填充有传导材料的所述开口。