[发明专利]制造掺杂Bi的IB-IIIA-ⅥA化合物的光吸收层的方法与包含其的太阳能电池有效
| 申请号： | 201210477835.7 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103137437A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 吕宗昕;陈富珊 | 申请（专利权）人： | 吕宗昕 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 董云海;丛芳 |
| 地址： | 中国台湾台北市大安区罗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造掺杂Bi的IB-IIIA-ⅥA化合物的光吸收层的方法与包含其的太阳能电池。光吸收层的制备方法包括：将含有元素周期表IB族、ⅢA族和铋(Bi,Bismuth)的化合物置于包括ⅥA族化合物的气氛中进行热处理，使该化合物形成掺杂Bi(bismuth-doped)的IB-ⅢA-ⅥA化合物。另外，本发明亦提供一种制作掺杂Bi的光吸收层的太阳能电池，该光吸收层是由上述方法制备而得，可进一步应用于制作光电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 掺杂 bi ib iiia 化合物 光吸收 方法 包含 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种制造掺杂Bi的IB‑IIIA‑ⅥA化合物的光吸收层的方法，其特征在于包括下列步骤：(A)沉积含有元素周期表IB族、IIIA族及Bi化合物的先驱薄膜(theprecursor films)；以及(B)在含有ⅥA族化合物的气氛下对该先驱薄膜进行热处理。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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