[发明专利]发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201210471215.2 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103840054A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管芯片，其包括基板、形成在该基板上的半导体结构以及形成于半导体结构上并相互间隔的二电极。所述半导体结构具有二外露的半导体层，其中一个电极形成于一半导体层的上表面，另一电极形成于另一半导体层的上表面。两个电极中的至少其中一个自半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以通过导电胶与外部电极电连接。本发明的发光二极管芯片的电极无需金线连接，因此，相对于传统的金属电极垫，本发明的电极不需要具备金线焊接的面积，所以可以做的面积很小，从而减少了电极的挡光面积，增加了发光二极管芯片的发光区域，提升了出光量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其包括基板、形成在该基板上的半导体结构以及形成于半导体结构上并相互间隔的二电极，所述半导体结构具有二外露的半导体层，其中一个电极形成于一半导体层的上表面，另一电极形成于另一半导体层的上表面，其特征在于：两个电极中的至少其中一个自其所设的半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210471215.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种天线结构和移动终端
- 下一篇：一种多通带高温超导滤波器
