[发明专利]发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其包括基板、形成在该基板上的半导体结构以及形成于半导体结构上并相互间隔的二电极，所述半导体结构具有二外露的半导体层，其中一个电极形成于一半导体层的上表面，另一电极形成于另一半导体层的上表面，其特征在于：两个电极中的至少其中一个自其所设的半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述半导体结构包括依次成长在基板上的缓冲层、N型半导体层、主动层、P型半导体层以及导电层，所述半导体结构的一侧蚀刻形成平台并暴露出N型半导体层，所述二电极分别为N型电极和P型电极，N型电极形成在裸露的N型半导体层上，P型电极形成在导电层上。

3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述N型电极为一金属垫，所述P型电极为一长条状的金属电极，并自导电层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接，所述N型电极通过打金线方式与外部电极电连接。

4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述P型电极与半导体结构的侧面之间还形成有绝缘层。

5.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述P型电极为一金属垫，所述N型电极为一长条状的金属电极，并自导电层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接，所述P型电极通过打金线方式与外部电极电连接。

6.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述P型电极、N型电极都为一长条状的金属电极，并自导电层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接。

7.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述N型电极与所述P型电极利用溅镀或蒸镀的物理气相层积的方法将金属沉积于半导体结构上而形成。

8.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述导电层以蒸镀或溅镀的物理气相沉积法形成，材料为镍/金、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟钨或是氧化铟镓。

9.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：自半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面的电极为长条状。

10.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：自半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面的电极通过导电胶或焊接方式与外部电极电连接。