[发明专利]FinFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201210464915.9 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103824775B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种FinFET及其制造方法。该制造FinFET的方法包括在半导体衬底上形成穿通阻止层；在穿通阻止层上形成第一半导体层；在第一半导体层中形成源区和漏区；由第一半导体层形成半导体鳍片，源区和漏区在半导体鳍片的两端与半导体鳍片接触；以及形成横跨半导体鳍片的栅堆叠，栅堆叠包括栅极导体和夹在栅极导体和半导体鳍片之间的栅极电介质。本发明的方法通过后鳍(fin‑last)工艺制造FinFET，有利于集成高K栅极电介质和金属栅以及作为应力源的源区和漏区，从而改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
