[发明专利]存储器同步缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201210451663.6 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931116A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储器同步缺陷检测方法，包括：首先执行用于同时提取芯片上不同方向的存储器区最小重复结构的结构提取步骤；然后执行用于扫描完整的一列或行芯片组、并将芯片组的数据信息保存在数据库的扫描步骤；此后执行用于根据结构提取步骤定义的单元结构对由扫描步骤所采集的数据进行水平和垂直方向上的比较的数据比较步骤；此后，重复扫描步骤和数据比较步骤，直到完成整个晶圆的缺陷检测。通过利用本发明的存储器同步缺陷检测方法，可以在同一个检测过程中对具有不同方向周期的存储器结构进行缺陷的检测，从而实现快速扫描的同时又能够很好地控制每个存储器区域的检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 同步 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器同步缺陷检测方法，其特征在于包括：首先执行用于同时提取芯片上不同方向的存储器区重复结构的结构提取步骤；然后执行用于扫描完整的一列或行芯片组、并将芯片组的数据信息保存在数据库的扫描步骤；此后执行用于根据结构提取步骤定义的单元结构对由扫描步骤所采集的数据信息进行水平和垂直方向上的比较的数据比较步骤；此后，重复扫描步骤和数据比较步骤，直到完成整个晶圆的缺陷检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
