[发明专利]聚焦离子束装置有效
申请号: | 201210451653.2 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN102915900A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 顾晓芳;刘永波;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01J37/21 | 分类号: | H01J37/21 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种聚焦离子束装置,包括:真空腔室;离子源,在负性电场的牵引下导出所述镓离子束;离子光学系统,决定所述离子束的大小,所述离子束并经过二次聚焦达到位于所述样品台上的试片表面;样品台,用于承载所述试片;二次电子,由所述聚焦离子束照射到所述试片产生;显示装置,显示所述试片的二次电子图像,进行缺陷定位;电荷导出装置,设置在所述真空腔室上,并与所述试片之缺陷的附件区域电性连接。通过本发明所述的具有电荷导出装置的聚焦离子束装置进行缺陷定位时,聚集的电荷易于导出,对所述缺陷提供精确的定位。同时也使得由所述聚焦离子束装置的发送端发射并用于沉积或切割的电荷可控的到达所述试片表面,实现准确的定位并进行沉积或切割。 | ||
搜索关键词: | 聚焦 离子束 装置 | ||
【主权项】:
一种聚焦离子束装置,其特征在于,所述聚焦离子束装置包括:真空腔室,所述真空腔室用于为所述聚焦离子束装置的检测提供真空环境;离子源,所述离子源为液态镓的液相金属离子源,当施加外加电场在所述液态镓的液相金属离子源时,所述液态镓形成细小尖端,并在负性电场的牵引下导出所述镓离子束;离子光学系统,所述离子光学系统决定所述离子束的大小,所述离子束并经过二次聚焦达到位于所述样品台上的试片之上表面;样品台,所述样品台用于承载所述试片;二次电子,所述二次电子由所述聚焦离子束照射到所述试片产生,并被用作二次电荷探测器的二次电子探测器检测;显示装置,所述显示装置根据检测到的所述二次电子信号显示所述试片的二次电子图像,进而进行缺陷的定位;电荷导出装置,所述电荷导出装置设置在所述真空腔室上,并与所述试片之缺陷的附件区域电性连接。
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