[发明专利]发光二极管制造方法无效
| 申请号： | 201210449786.6 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811592A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层完全覆盖或者不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；蚀刻位于凸出部的顶部区域的未掺杂GaN层直至暴露出凸出部的顶部区域；在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。在上述方法中，通过蚀刻将位于凸出部顶部区域的未掺杂GaN层。此时，由于缺陷集中的部分被去除，所生长的发光二极管晶体缺陷将减少。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；蚀刻位于凸出部的顶部区域的未掺杂GaN层直至暴露出凸出部的顶部区域；在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
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