[发明专利]抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法无效
| 申请号： | 201210444934.5 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102952467A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李晖;徐永宽;程红娟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B37/04 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 田卫平 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于化学机械抛光的抛光液，包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中：所述粗抛的抛光液包括：纳米磨料5~10wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，pH调节剂，余量为去离子水，粒度为60~100nm，PH值为9.5；所述精抛的抛光液包括：纳米磨料1~5wt%，氧化剂为0.5~1.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为15~30nm，pH值为9.5；应用上述的抛光液对CdS晶片进行化学机械抛光的方法，抛光方法包括：对待抛光的CdS晶片利用粗抛抛光液进行粗抛，以及对粗抛后的CdS晶片利用精抛抛光液进行精抛；其中，进行粗抛抛光和精抛抛光时，抛光压力为60~120g/cm2，转速60~100转/分钟，对应抛光液的流量50~200ml/min。本发明的抛光工艺简单，容易操作，使用的抛光液损伤小。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 应用 cds 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于化学机械抛光的抛光液，其特征在于，所述抛光液包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中：所述粗抛的抛光液包括：纳米磨料5~10wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为20~50nm，PH值为9.5；所述精抛的抛光液包括：纳米磨料1~5wt%，氧化剂为0.5~1.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为10~30nm，PH值为9.5。
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