[发明专利]抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶体材料加工技术领域，尤其涉及抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法。

背景技术

Ⅱ—Ⅵ族单晶材料是优良的探测器材料和激光材料，CdS是直接跃进Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体，它是一种较好的窗口材料和过渡层材料，常用来制作光化学催化、半导体器件、发光器件、激光和光敏传感器。CdS可以制作紫外探测器，又是良好的红外窗口材料，因此被用于导弹的红外或紫外双色制导。因此，对CdS单晶材料研究有着很高的应用前景和军事意义。

CdS单晶的表面质量与其器件的性能密切相关，但是现有的CdS单晶抛光处理后的CdS单晶表面粗糙度大，抛光效果不好。

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法，用以解决现有技术中CdS单晶抛光处理后的CdS单晶表面粗糙度大，抛光效果不好的问题。

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：

一种用于化学机械抛光的抛光液，所述抛光液包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中：

所述粗抛的抛光液包括：纳米磨料5~10wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为20~50nm，PH值为9.5；

所述精抛的抛光液包括：纳米磨料1~5wt%，氧化剂为0.5~1.5wt％，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为10~30nm，PH值为9.5。

优选地，所述纳米磨料包括二氧化硅，或者二氧化硅和氧化铈的混合物，当所述纳米磨料为二氧化硅和氧化铈时，二氧化硅与氧化铈的重量比例大于4:1。

优选地，PH值调节剂包括无机溶液和有机溶液，其中，所述无机溶液与所述有机溶液体积比1：1~5，所述无机溶液为氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或两种，所述有机溶液为三异丙醇胺和三乙醇胺中的一种或两种混合物。

优选地，所述氧化剂为次氯酸钠或者是次氯酸钠和双氧水的混合物，当所述氧化剂为次氯酸钠和双氧水的混合物时，次氯酸钠与双氧水的体积比例大于5:1。

优选地，所述表面活性包括脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯酰胺和多元醇中的一种或多种混合物。

本发明还提供了一种应用上面所述的抛光液对CdS晶片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：对待抛光的CdS晶片利用粗抛抛光液进行粗抛，以及对粗抛后的CdS晶片利用精抛抛光液进行精抛；

其中，进行粗抛抛光和精抛抛光时，抛光压力为60~120g/cm²，转速60~100转/分钟，对应抛光液的流量5~100ml/min。

优选地，所述粗抛的抛光液的流量为50~100ml/min。

优选地，所述精抛的抛光液的流量为5~10ml/min。

优选地，所述精抛和粗抛的抛光垫采用为FIWEL N0054型合成革抛光垫。

本发明的有益效果如下：

本发明提供的一种抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法，采用两步抛光步骤，分别是粗抛和精抛，整个抛光过程中使用的抛光液除磨料粒径大小不一样，其他成分均一样，所以在抛光只需要更换不同粒径的磨料，不会引入其他杂质，避免了其他附加操作，抛光工艺简单，容易操作，使用的抛光液损伤小，易清洗，表面粗糙度小于1nm。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

图1为本发明实施例的CdS晶片抛光的抛光方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。

实施例1

本发明实施例提供了一种用于化学机械抛光的抛光液，该抛光液包括：

所述抛光液包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中：

所述粗抛的抛光液包括：纳米磨料5~10wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为20~50nm，PH值为9.5；

所述精抛的抛光液包括：纳米磨料1~5wt%，氧化剂为0.5~1.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为10~30nm，PH值为9.5。