[发明专利]一种Nand闪存和读取其配置信息的方法和装置有效
| 申请号： | 201210426090.1 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794253A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘会娟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Nand闪存和读取其配置信息的方法和装置，以解决现有技术随着工艺特征尺寸的降低，Nand闪存的配置信息的读取可靠性越来越差的问题。其包括：在Nand闪存纠错码中选择与熔丝阵列对应的纠错码；在熔丝阵列中读取出全部n份配置信息，n≥2，n为正整数；根据与熔丝阵列对应的纠错码，检查并纠正n份配置信息中错误的配置信息；判断读取出的各份配置信息是否正确；将正确的配置信息确定为Nand闪存的配置信息。熔丝阵列中存储多份配置信息，并且通过纠错能力强的纠错码对配置信息进行检查和纠错，而且熔丝阵列中尽可能少地串联存储单元，降低了读取Nand闪存配置信息出错的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 读取 配置 信息 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种读取Nand闪存配置信息的方法，其特征在于，包括：在Nand闪存纠错码中选择与熔丝阵列对应的纠错码；在熔丝阵列中读取出全部n份配置信息，n≥2，n为正整数；根据与熔丝阵列对应的纠错码，检查并纠正n份配置信息中错误的配置信息；判断读取出的各份配置信息是否正确；将正确的配置信息确定为Nand闪存的配置信息；其中，Nand闪存纠错码中还包括与主阵列对应的纠错码；并且与熔丝阵列对应的纠错码的纠错能力不同于与主阵列对应的纠错码。
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