[发明专利]三维非易失性存储器件、存储系统及制造方法

摘要

本发明公开了一种三维非易失性存储器件、存储系统及制造方法，所述三维非易失性存储器件包括具有第一区和第二区的衬底；管道沟道薄膜，所述管道沟道薄膜形成在第一区中的衬底上；管道栅，所述管道栅大体地包围管道沟道薄膜；以及驱动栅，所述驱动栅形成在第二区中的衬底上，并具有至少一个虚设图案。

主权项

一种三维非易失性存储器件，包括：衬底，所述衬底包括第一区和第二区；管道沟道薄膜，所述管道沟道薄膜形成所述第一区中的衬底上；管道栅，所述管道栅包围所述管道沟道薄膜；以及驱动栅，所述驱动栅形成在所述第二区中的衬底上，并具有至少一个虚设图案，其中，所述虚设图案和所述管道沟道薄膜形成在同一层上。