[发明专利]一种超高Q值片上可调电感有效
| 申请号： | 201210406980.6 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103001566B | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李智群;曹佳 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H02P13/00 | 分类号： | H02P13/00;H01F38/14 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种超高Q值片上可调电感，包括电感单元、电容调控单元和负阻调控单元，电感单元设有电磁耦合的主电感及副电感，主电感的两端与射频输出连接；电容调控单元设有两个串接的可变电容C1及C2，其串接端连接外部控制信号VC1，可变电容C1及C2的另一端分别连接副电感的同相端及反相端；负阻调控单元设有五个晶体管，晶体管M1的栅极连接外部输入的控制信号VC2，晶体管M1的源极接地，漏极与晶体管M2及M3的源极连接在一起，晶体管M2的栅极与晶体管M3的漏极、晶体管M5的漏极、晶体管M4的栅极以及副电感的反相端连接在一起，晶体管M3的栅极与晶体管M2的漏极、晶体管M4的漏极、晶体管M5的栅极以及副电感的同相端连接在一起，晶体管M4及M5的源极均连接电源VDD。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 值片上 可调 电感 | ||
【主权项】：
一种超高Q值片上可调电感，其特征是：包括电感单元、电容调控单元和负阻调控单元，其中：电感单元设有一个主电感和一个副电感，两者之间电磁耦合，主电感的两端直接与射频电路输出连接；电容调控单元设有两个串接的可变电容C1及C2，其串接端作为控制端连接外部输入的控制信号VC1，可变电容C1及C2的另一端分别连接电感单元中副电感的同相端及反相端；负阻调控单元设有五个晶体管M1、M2、M3、M4及M5，晶体管M1的栅极作为控制端连接外部输入的另一控制信号VC2，晶体管M1的源极接地，晶体管M1的漏极与晶体管M2及M3的源极连接在一起，晶体管M2的栅极与晶体管M3的漏极、晶体管M5的漏极、晶体管M4的栅极以及电感单元中副电感的反相端连接在一起，晶体管M3的栅极与晶体管M2的漏极、晶体管M4的漏极、晶体管M5的栅极以及电感单元中副电感的同相端连接在一起，晶体管M4及M5的源极均连接电源VDD。
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