[发明专利]一种超高Q值片上可调电感

权利要求书

1.一种超高Q值片上可调电感，其特征是：包括电感单元、电容调控单元和负阻 调控单元，其中：

电感单元设有一个主电感和一个副电感，两者之间电磁耦合，主电感的两端直接与 射频电路输出连接；

电容调控单元设有两个串接的可变电容C1及C2，其串接端作为控制端连接外部输 入的控制信号V_C1，可变电容C1及C2的另一端分别连接电感单元中副电感的同相端及 反相端；

负阻调控单元设有五个晶体管M1、M2、M3、M4及M5，晶体管M1的栅极 作为控制端连接外部输入的另一控制信号V_C2，晶体管M1的源极接地，晶体管M1的 漏极与晶体管M2及M3的源极连接在一起，晶体管M2的栅极与晶体管M3的漏极、 晶体管M5的漏极、晶体管M4的栅极以及电感单元中副电感的反相端连接在一起，晶 体管M3的栅极与晶体管M2的漏极、晶体管M4的漏极、晶体管M5的栅极以及电感 单元中副电感的同相端连接在一起，晶体管M4及M5的源极均连接电源VDD。

2.根据权利要求1所述的超高Q值片上可调电感，其特征是：所说电容调控单元 中两个串接的可变电容C1及C2与电感单元中副电感的同相端及反相端的两连接端之 间，还依次并联有多组开关电容，每一组开关电容均设有两个电容及一个开关，开关串 接在两个电容之间，每一组开关电容中的开关的控制端分别连接各自的外部数字控制信 号。

3.根据权利要求1所述的超高Q值片上可调电感，其特征是：所说负阻调控单元 设有三个晶体管M1、M2及M3，晶体管M1的栅极作为控制端连接外部输入的另一 控制信号，晶体管M1的源极接地，晶体管M1的漏极与晶体管M2及M3的源极连接 在一起，晶体管M2的栅极与晶体管M3的漏极以及电感单元中副电感的反相端连接在 一起，晶体管M3的栅极与晶体管M2的漏极以及电感单元中副电感的同相端连接在一 起，电感单元中的副电感设有中心抽头连接至电源VDD。