[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210404856.6 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102944339A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 黄贤;张大成;赵丹淇;何军;杨芳;田大宇;刘鹏;王玮;李婷;罗葵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，该MEMS压阻式压力传感器包括应变膜和压敏电阻，应变膜的正面边缘分布有岛结构，压敏电阻位于所述岛结构上。在制备时基片正面岛结构的制作在背腔各向异性腐蚀之前，避免正面制作岛结构时应变膜出现崩裂。本发明的压力传感器同时具有高灵敏度和高线性度，其制备方法与传统工艺兼容，成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS压阻式压力传感器，包括应变膜和压敏电阻，其特征在于，所述应变膜的正面边缘分布有岛结构，所述压敏电阻位于所述岛结构上。
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