[发明专利]SRAM的存储单元有效
| 申请号： | 201210398530.7 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103778953A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 潘劲东;方伟;丁艳;魏芳伟;陈双文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM的存储单元，包括：用于信息存储的存储电路，分别与字线、位线和反位线电连接；用于平衡流经所述存储电路电流的电流平衡电路，连接于所述存储电路的接地点和接地端之间。其中，所述电流平衡电路包括：第七MOS晶体管，其漏极与所述存储电路的接地点电连接，其源极与接地端电连接，其栅极用于接收列选信号；第八MOS晶体管，其漏极与所述存储电路的接地点电连接，其源极与接地端电连接，其栅极用于接收行选信号。因为第七MOS晶体管和第八MOS晶体管组成的电流平衡电路的存在，在进行写操作时，从电流的变化上无法判断是否有数据写入存储单元。因此，可防止功耗分析攻击，进而可以有效防止存储单元所存储信息的泄露。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种SRAM的存储单元，其特征在于，包括：用于信息存储的存储电路，分别与字线WL、位线BL和反位线BLX电连接；用于平衡流经所述存储电路电流的电流平衡电路，连接于所述存储电路的接地点和接地端之间。
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