[发明专利]工作温度可控多芯片组件的集成方法有效
申请号: | 201210396192.3 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN102881602A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 杨成刚;苏贵东;刘俊 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/48;H01L23/15 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550018 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了温度可控多芯片组件的集成方法,该方法采用包括微型热电致冷、厚膜丝网印刷、厚膜激光调阻、多层低温共烧陶瓷、热信号采集的厚膜热敏电阻的一体化集成技术来制作;所用多层共烧陶瓷基片由多层陶瓷烧结而成,在每一层含有金属化通孔、导带和阻带;在多层共烧陶瓷基片的第二层陶瓷版上埋置厚膜热敏电阻,位置正对温度较敏感的集成电路芯片;在该基片正面集成导带、阻带、集成电路芯片、小容量电感、电容和微型元器件;在该基片背面集成半导体致冷器,并分别从N型半导体、P型半导体的两端通过通孔连接到表面键合区。本发明使器件长期工作在某一特定的工作温度范围内,能确保器件长期工作的温度稳定性,提高器件的长期可靠性。 | ||
搜索关键词: | 工作温度 可控 芯片 组件 集成 方法 | ||
【主权项】:
一种温度可控多芯片组件的集成方法,它是采用包括微型热电致冷、厚膜丝网印刷、厚膜激光调阻、多层低温共烧陶瓷、热信号采集的厚膜热敏电阻的一体化集成技术来制作温度可控多芯片组件;所用多层共烧陶瓷基片由多层陶瓷烧结而成,在每一层含有金属化通孔、导带、裕量较大的阻带;其特征在于:在多层共烧陶瓷基片的第二层陶瓷版上埋置厚膜热敏电阻,其位置正对温度较敏感的集成电路芯片;在该基片正面进行多芯片三维平面集成,包括导带、阻带、集成电路芯片、小容量电感、电容和微型元器件;在该基片背面进行半导体致冷器的集成,并分别从N型半导体、P型半导体的两端通过通孔的形式连接到表面键合区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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