[发明专利]堆叠纳米线MOS晶体管制作方法

摘要

本发明公开了一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在每个鳍片中形成由多个纳米线构成的纳米线堆叠；在纳米线堆叠上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构，栅极堆叠结构环绕包围纳米线堆叠；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区，源漏区之间的纳米线构成沟道区。依照本发明的堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，通过多次回刻、侧向腐蚀沟槽并填充，形成了质量良好的纳米线堆叠。侧向腐蚀工艺方法包括包含内切横向刻蚀量的各向同性干法刻蚀，或者沿各晶向选择腐蚀的湿法腐蚀方法。本方法以较低的成本充分增大导电沟道有效宽度从而提高驱动电流。

主权项

1.一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在每个鳍片中形成由多个纳米线构成的纳米线堆叠；在纳米线堆叠上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构，栅极堆叠结构环绕包围纳米线堆叠；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区，源漏区之间的纳米线构成沟道区，其中，在每个鳍片中形成由多个纳米线构成的纳米线堆叠的步骤进一步包括：在鳍片之间沉积浅沟槽隔离；回刻浅沟槽隔离，暴露出鳍片顶部的第一部分；侧向腐蚀鳍片顶部的第一部分，形成穿通的第一凹槽，鳍片顶部的第一部分剩余的部分构成第一纳米线；沉积第一保护层，以至少填充且充满穿通的第一凹槽；各向异性回刻第一保护层与浅沟槽隔离，暴露出鳍片中部的第二部分；侧向腐蚀鳍片中部的第二部分，形成穿通的第二凹槽，鳍片中部的第二部分剩余的部分构成第二纳米线；沉积第二保护层，以至少填充第二凹槽；重复以上步骤，形成多个纳米线。