[发明专利]太赫兹肖特基二极管的制造方法

摘要

本发明提供了太赫兹肖特基二极管的制造方法，包括：在砷化镓半导体衬底上依次形成高浓度掺杂砷化镓层和低浓度掺杂砷化镓层；在高浓度掺杂砷化镓层上形成欧姆接触阴极和欧姆接触金属；在低掺杂浓度砷化镓层上形成具有小孔的二氧化硅层；形成肖特基接触阳极；形成欧姆接触阴极压点、肖特基接触阳极延伸压点、悬空电镀桥，肖特基接触阳极延伸压点通过悬空电镀桥与肖特基接触阳极相连。根据所述制造方法制造的肖特基二极管减小了寄生效应，降低了存在于n+GaAs中的热电子噪声、阳极压点到悬空电镀桥的不连续性、二极管的串联电阻，易于使用倒装焊实现与外围电路的集成。

主权项

一种太赫兹肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步骤：在半绝缘砷化镓层(11)上自下而上依次形成高掺杂浓度砷化镓层(12)、低掺杂浓度砷化镓层(13)：第二步骤：在低掺杂浓度砷化镓层(13)上光刻第一欧姆接触图形(121)和第二欧姆接触图形(123)，并腐蚀所述图形区域的低掺杂浓度砷化镓层(13)直至高掺杂浓度砷化镓层(12)；第三步骤：在第一欧姆接触图形(121)上形成欧姆接触金属(23)，在第二欧姆接触图形(123)上形成欧姆接触阴极(22)，欧姆接触金属(23)和欧姆接触阴极(22)的材料相同；第四步骤：在低掺杂浓度砷化镓层(13)上形成具有小孔(211)的二氧化硅层(14)；第五步骤：在小孔(211)中以及在欧姆接触金属(23)和欧姆接触阴极(22)上蒸发接触金属，接触金属充满小孔(211)，小孔(211)中的接触金属与低掺杂浓度砷化镓层(13)形成肖特基结，小孔(211)中的接触金属形成肖特基接触阳极(21)，在欧姆接触金属(23)上蒸发的接触金属为第一接触金属(421)，在欧姆接触阴极(22)上蒸发的接触金属为第二接触金属(422)；第六步骤：在二氧化硅层(14)和肖特基接触阳极(21)上形成悬空电镀桥图形(26)，在第一接触金属(421)上形成第三接触金属(431)，在第二接触金属(422)上形成第四接触金属(432)；由第一接触金属(421)和第三接触金属(431)构成欧姆接触阴极压点(25)，由第二接触金属(422)和第四接触金属(432)肖特基接触阳极延伸压点(24)。