[发明专利]图案化层状材料与形成转印模的方法无效
申请号: | 201210382854.1 | 申请日: | 2012-10-10 |
公开(公告)号: | CN103324026A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 杨锦添;李明家;郑宗达 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | G03F1/56 | 分类号: | G03F1/56;G03F7/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了图案化层状材料的方法,该方法包括:提供层状材料;形成光致抗蚀剂层于该层状材料上;以激光光束图案化光致抗蚀剂层,露出部分的层状材料;以及蚀刻露出的部分的层状材料,以图案化层状材料。 | ||
搜索关键词: | 图案 层状 材料 形成 印模 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图案化层状材料的方法,包括:提供层状材料;形成光致抗蚀剂层于该层状材料上;以聚焦的激光光束图案化该光致抗蚀剂层,露出部分的该层状材料;以及蚀刻露出的部分的该层状材料,以图案化该层状材料;其中该光致抗蚀剂层具有化学式如式1、式2、式3、式4、式5、式6、或式7:
(式1)其中每一A环各自独立,选自取代或未取代的环烷基;R1选自CH2、氧、或SO2;每一R2各自独立,选自氢、偶氮基、或取代或未取代的聚次甲基;每一X1各自独立,选自氧、CH2、烷基、或N-R3,其中R3选自氢、取代或未取代的C1-18烷基、取代或未取代的C1-18烷氧基、取代或未取代的C1-18羧基、取代或未取代的C1-18烷基酯基、取代或未取代的芳香基酯基、金刚烷基、金刚烷基羰基、或取代或未取代的芳烷基;每一X2各自独立,选自氧或C(CN)2;以及每一X3各自独立,选自氧负离子、羟基、或C(CN)2;
(式2)
(式3)其中每一B环各自独立,选自取代或未取代的芳香基、取代或未取代的杂芳基、或取代或未取代的含有芳香基的稠环;每一R4各自独立,选自氢、C=S、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳香基、取代或未取代的芳烷基、或取代或未取代的杂环基;每一X4各自独立,选自氧、取代或未取代的烷基、或N-R5,其中R5选自氢、取代或未取代的C1-18烷基、取代或未取代的C1-18烷氧基、取代或未取代的C1-18羧基、取代或未取代的C1-18烷基酯基、取代或未取代的芳香基酯基、金刚烷基、金刚烷基羰基、或取代或未取代的芳烷基;每一X5各自独立,选自氧、C(CN)2、或C=O;以及M选自Fe、Co、Cu、Ni、或Zn;
(式4)其中C环选自取代或未取代的环烷基;每一L各自独立,选自取代或未取代的次甲基;每一R6各自独立,选自取代或未取代的C1-18烷基、取代或未取代的C1-18烷氧基、取代或未取代的C1-18羧基、取代或未取代的C1-18烷基酯基、取代或未取代的芳香基酯基、金刚烷基、金刚烷基羰基、或取代或未取代的芳烷基;每一X6各自独立,选自氧、CH2、或N-R7,其中R7选自取代或未取代的C1-18烷基;每一X7各自独立,选自氧或C(CN)2;每一X8各自独立,选自取代或未取代的烷撑基、或具有氧、硫、硒、或氮的取代或未取代的烷撑基;以及每一m各自独立,选自0或1;
(式5)其中每一L’各自独立,选自取代或未取代的次甲基;每一R8各自独立,选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳香基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的杂环基、或二茂铁基;R9选自取代或未取代的C1-18烷基、取代或未取代的C1-18烷氧基、取代或未取代的C1-18羧基、取代或未取代的C1-18烷基酯基、取代或未取代的芳香基酯基、金刚烷基、金刚烷基羰基、或取代或未取代的芳烷基;每一X9各自独立,选自氧、CH2、或N-R10,其中R10选自取代或未取代的C1-18烷基;每一X10各自独立,选自氧或C(CN)2;X11选自取代或未取代的烷撑基、或具有氧、硫、硒、或氮的取代或未取代的烷撑基;以及n为0或1;
(式6)其中每一L”各自独立,选自取代或未取代的次甲基;每一R11各自独立,选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳香基、取代或未取代的芳烷基、或取代或未取代的杂环基;R12选自取代或未取代的C1-18烷基、取代或未取代的C1-18烷氧基、取代或未取代的C1-18羧基、取代或未取代的C1-18烷基酯基、取代或未取代的芳香基酯基、金刚烷基、金刚烷基羰基、或取代或未取代的芳烷基;每一X12各自独立,选自氧、CH2、或N-R13,其中R13选自取代或未取代的C1-18烷基;每一X13各自独立,选自氧或C(CN)2;每一X14各自独立,选自取代或未取代的烷撑基、或具有氧、硫、硒、或氮的取代或未取代的烷撑基;以及每一k各自独立,选自0或1;
(式7)其中每一L’各自独立,选自取代或未取代的次甲基;R14选自取代或未取代的C1-18烷基、取代或未取代的C1-18烷氧基、取代或未取代的C1-18羧基、取代或未取代的C1-18烷基酯基、取代或未取代的芳香基酯基、金刚烷基、金刚烷基羰基、或取代或未取代的芳烷基;每一X15各自独立,选自氧、硫、CH2、或N-R15,其中R15选自氢或取代或未取代的C1-18烷基;每一X16各自独立,选自氧、硫、或C(CN)2;X17选自取代或未取代的烷撑基、或具有氧、硫、硒、或氮的取代或未取代的烷撑基;以及n为0或1。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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