[发明专利]图案化层状材料与形成转印模的方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及图案化层状材料的方法，更特别涉及聚焦的激光光束及其搭配的光致抗蚀剂层材料。

【背景技术】

由于表面结构纳米化技术有许多应用，如抗反射膜、生物晶片所需的微流道与纳米孔洞、染料敏化太阳能电池、与光子晶体，制作具有纳米结构的表面技术具有巨大商机。所以，近年来有一种以溅镀制程(Sputtering Process)成膜的相变激光光束直写制程(Phase Transition Mastering;PTM)的技术，应用于碟片母模与纳米图案化模具的制作。

此制程先提供基板，再用高真空溅镀系统将相变金属或氧化物靶材材料以溅镀成膜的方式溅镀于基板上，此类型的无机阻剂材料大部分利用控制合金薄膜的结晶态与非晶态间的相变，来达成激光光束直写制程，其中上述溅镀型阻剂一般为硫属化合物材料(Chalcogenide Materials)或由反应溅镀所形成的金属氧化物。之后，利用激光光束对上述材料层进行曝写。然后，需要另外利用特殊的湿式蚀刻液来将经热化学反应所生成的区域予以保留或去除，亦即进行显影，以形成图案。随后，在图案上电镀镍，最后分开上述镍层与基板上的图案。

然而，此溅镀型相变激光光束直写技术所采用的相变金属阻剂膜层需高成本与复杂的真空溅镀镀膜系统镀制阻剂，设备成本比传统光致抗蚀剂旋转涂布成膜制程高出很多，且蚀刻液特殊。另外，相变金属阻剂膜层反射率过高，且无法适用于传统激光光束刻版机的聚焦伺服系统，因而若欲采用溅镀型相变激光光束直写技术所采用的相变金属阻剂膜层，则需重新购置全新的制程设备。

【发明内容】

本发明一实施例提供一种图案化层状材料的方法，包括：提供层状材料；形成光致抗蚀剂层于该层状材料上；以激光光束图案化光致抗蚀剂层，露出部分的层状材料；以及蚀刻露出的部分的层状材料，以图案化层状材料；其中光致抗蚀剂层具有化学式如式1、式2、式3、式4、式5、式6、或式7：

(式1)其中每一A环各自独立，选自取代或未取代的环烷基；R¹选自CH₂、氧、或SO₂；每一R²各自独立，选自氢、偶氮基、或取代或未取代的聚次甲基(polymethine)；每一X¹各自独立，选自氧、CH₂、烷基、或N-R³，其中R³选自氢、取代或未取代的C_1-18烷基、取代或未取代的C_1-18烷氧基、取代或未取代的C_1-18羧基、取代或未取代的C_1-18烷基酯基、取代或未取代的芳香基酯基、金刚烷基、金刚烷基羰基、或取代或未取代的芳烷基；每一X²各自独立，选自氧或C(CN)₂；以及每一X³各自独立，选自氧负离子、羟基、或C(CN)₂；

(式2)

(式3)

其中每一B环各自独立，选自取代或未取代的芳香基、取代或未取代的杂芳基、或取代或未取代的含有芳香基的稠环；每一R⁴各自独立，选自氢、C=S、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳香基、取代或未取代的芳烷基、或取代或未取代的杂环基；每一X⁴各自独立，选自氧、取代或未取代的烷基、或N-R⁵，其中R⁵选自氢、取代或未取代的C_1-18烷基、取代或未取代的C_1-18烷氧基、取代或未取代的C_1-18羧基、取代或未取代的C_1-18烷基酯基、取代或未取代的芳香基酯基、金刚烷基、金刚烷基羰基、或取代或未取代的芳烷基；每一X⁵各自独立，选自氧、C(CN)₂、或C=O；以及M选自Fe、Co、Cu、Ni、或Zn；

(式4)