[发明专利]NOR快闪存储器的形成方法在审
| 申请号： | 201210378745.2 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715145A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李绍彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种NOR快闪存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有若干存储单元，所述存储单元之间通过隔离结构进行隔离，其中，每个存储单元包括相邻的两个栅极结构、位于两个栅极结构之间衬底内的源极以及分别位于两个栅极结构另一侧衬底内的漏极；去除各存储单元源极之间的隔离结构，形成若干凹槽；对所述凹槽的底部和侧壁进行第一离子注入，所述第一离子注入的方向与衬底上表面垂直；对所述凹槽的侧壁进行第二离子注入，所述第二离子注入的方向与衬底上表面的法线呈预定夹角。本发明所形成的NOR快闪存储器能够在尺寸减小时保证其具有原有的擦除功能。 | ||
| 搜索关键词： | nor 闪存 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种NOR快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括:提供衬底，所述衬底上形成有若干存储单元，所述存储单元之间通过隔离结构进行隔离，其中，每个存储单元包括相邻的两个栅极结构、位于两个栅极结构之间衬底内的源极以及分别位于两个栅极结构另一侧衬底内的漏极；去除各存储单元源极之间的隔离结构，形成若干凹槽；对所述凹槽的底部和侧壁进行第一离子注入，所述第一离子注入的方向与衬底上表面垂直；对所述凹槽的侧壁进行第二离子注入，所述第二离子注入的方向与衬底上表面的法线呈预定夹角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
