[发明专利]一种降低化学机械抛光后微粒缺陷的方法无效
| 申请号： | 201210375724.5 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102915920A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 邓镭;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低化学机械抛光后微粒缺陷的方法，属于化学机械抛光技术领域，其中，在化学机械抛光设备的超纯水供应管路中增加离子风枪，所述离子风枪用于向硅片添加正负离子；所述正负离子用于中和释放与所述正负离子接触的所述硅片的表面积累的静电电荷；上述技术方案的有益效果是：利用离子风枪引入正负离子，增强硅片的导电性，中和释放与之接触的硅片表面积累的静电电荷，减少对周围带电粒子的吸引，从而降低了化学机械抛光后的微粒缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 化学 机械抛光 微粒 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种降低化学机械抛光后微粒缺陷的方法，其特征在于，在化学机械抛光设备的超纯水供应管路中增加离子风枪，所述离子风枪用于向硅片添加正负离子；所述正负离子用于中和释放与所述正负离子接触的所述硅片的表面积累的静电电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
