[发明专利]碳化硅晶体生长炉

摘要

本发明公开了一种碳化硅晶体生长炉，包括：干泵、与炉体依次连接的气动插板阀、分子泵、气动阀和真空规，以及与所述气动阀连接的压力计；运动单元，包括线圈移动控制机构和绝热套移动控制机构；加热单元，包括高温计、射频电源、线圈、设置在炉体内的绝热套和设置在绝热套内的坩埚，所述射频电源与线圈连接，所述绝热套移动控制机构和所述线圈移动控制机构控制所述线圈与所述绝热套的升降移动。本设备能够在SIC晶体生长过程中合理的控制坩埚内部的气压，利用线圈和绝热套相匹配的移动来控制坩埚内的径向温度梯度，对炉内压力场和温度场进行优化，从而来保证坩埚内部温度的合理分布。将晶体中的缺陷降到最低，从而控制晶体的品质。

主权项

一种碳化硅晶体生长炉，其特征在于，包括：真空单元，包括：干泵（9）、与炉体依次连接的气动插板阀（4，5）、分子泵（6，7）、气动阀（2，3）和真空规（20），以及与所述气动阀（2，3）连接的压力计（18），所述压力计（18）用于显示炉体内真空度；质量流量计组，用于对炉体内充气的流量进行控制；运动单元，包括线圈移动控制机构（11）和绝热套移动控制机构（12）；加热单元，包括高温计（13）、射频电源（14）、线圈（15）、设置在炉体内的绝热套（16）和设置在绝热套内的坩埚（17），所述射频电源（14）与线圈（15）连接，所述绝热套移动控制机构（12）和所述线圈移动控制机构（11）控制所述线圈（15）与所述绝热套（16）的升降移动。