[发明专利]一种金属-氧化物-金属电容的制造方法

摘要

本发明提供一种MOM电容的制造方法，其包括在晶圆基底上，沉积以High-K介质作为材料的第一绝缘介质层；通过光刻和刻蚀定义第一绝缘介质层介质图形；在晶圆表面沉积以常规介质或low-k介质作为材料的第二绝缘介质层；使用化学机械抛光研磨第二绝缘介质层和第一硬掩膜介质层；通过光刻和刻蚀定义第一绝缘介质层和第二绝缘介质层中的凹槽区域；在所述凹槽区域中填充金属，形成金属连线和MOM电容的第一指状极板和第二指状极板。因此，通过本发明的方法，可以将具有high-k第一绝缘介质层的MOM电容集成到采用常规或者low-k介质的后道互连工艺中，从而在实现大容量集成电容的时候并不影响金属连线的RC寄生延迟。

主权项

一种金属‑氧化物‑金属电容（MOM）的制造方法，其中，所述MOM电容（102）采用指状结构，与后道金属连线区域（101）制作在同一金属层中；所述MOM电容（102）的指状结构，由第一电极（13）和第二电极（14）组成，并且，第一电极（13）由多根相互平行的第一指状极板（11）单端相连而形成，第二电极（14）由多根相互平行的第二指状极板（12）单端相连而形成；所述第一电极（13）和第二电极（14）之间具有第一绝缘介质层（3），所述MOM电容（102）的其他区域以及所述金属连线区域（101）内部具有第二绝缘介质层（5）；其特征在于，所述的方法包括如下步骤：步骤S01：在晶圆基底上，沉积所述第一绝缘介质层（3）；所述晶圆基底包含衬底（1）和制作在所述衬底（1）之上的包含晶体管在内的器件层（2），及N层的金属层，其中，N为大于等于零的整数；然后，在所述第一绝缘介质层（3）上沉积一层第一硬掩膜介质层（4），所述第一绝缘介质层（3）以High‑K介质作为材料；步骤S02：在所述硬掩膜介质层上涂布光刻胶，通过光刻和刻蚀定义第一绝缘介质层（3）介质图形；步骤S03：在晶圆表面沉积所述第二绝缘介质层（5）；其中，所述第二绝缘介质层（5）以常规介质或low‑k介质作为材料；步骤S04：研磨所述第二绝缘介质层（5）和第一硬掩膜介质层（4），使晶圆表面平坦化；步骤S05：在晶圆表面涂布第二硬掩膜介质层（7）以及光刻胶，通过光刻和刻蚀形成位于所述第一绝缘介质层（3）和第二绝缘介质层（5）中的凹槽区域；步骤S06：在所述凹槽区域中填充金属，形成金属连线和所述MOM电容（102）的第一指状极板（11）和第二指状极板（12）。