[发明专利]一种可溶性酞菁化合物、其制备方法及一种有机薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201210349874.9 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102863448A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 耿延候;田洪坤;董少强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C07D487/22 | 分类号： | C07D487/22;H01L51/30;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵;李玉秋 |
| 地址： | 130022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种可溶性酞菁化合物，具有式（I）结构或式（II）结构，R为烷基、烷氧基或烷硫基；M为二价金属或含配体的三价以上金属。本发明向酞菁核的2、3、16和17位上各引入一个相同的取代基，并保留酞菁核中的两个苯环不被取代，在提高溶解性的同时尽可能地不破坏酞菁核的紧密π-π堆积排列方式，实现较高的场效应迁移率；此外，中心金属原子能调节取代酞菁的电子结构，同时其能和取代基产生协同效应，调控取代酞菁薄膜的堆积方式，故采用所述可溶性酞菁化合物能获得具有较高迁移率的有机薄膜晶体管。本发明提供了一种可溶性酞菁化合物的制备方法和一种有机薄膜晶体管，其载流子迁移率可达1cm2/V·s。 |
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| 搜索关键词： | 一种 可溶性 化合物 制备 方法 有机 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种可溶性酞菁化合物，具有式（I）结构或式（II）结构：![]()
其中，R为烷基、烷氧基或烷硫基；M为二价金属或含配体的三价以上金属。
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