[发明专利]一种低功耗低温度系数电压基准源无效
| 申请号： | 201210343471.3 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102880215A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 甄少伟;龚靖;龚剑;胡烽;罗萍;贺雅娟;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 冉鹏程 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低功耗低温度系数的电压基准源，涉及电源电压技术领域，包括补偿电流产生电路和一阶温度补偿电路,所述补偿电流产生电路的补偿电流由工作在亚阈区的NMOS管提供，一阶温度补偿电路由增强型NMOS管和耗尽型NMOS管组成，补偿电流产生电路与一阶补偿电路相连接，由补偿电流产生电路中工作在亚阈区的耗尽型NMOS管为一阶补偿电路引入补偿电流，从而输出低温度系数的基准电压。本发明通过在基准电压温度曲线上新增加一个零温度系数点，使得该基准模块具有很好的温度稳定性，同时，该电压基准源还具有低功耗等特点，可以工作在低电源电压下，并适用于模拟集成电路，高精度数模转换电路以及纯数字集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 温度 系数 电压 基准 | ||
【主权项】：
一种低功耗低温度系数的电压基准源，包括补偿电流产生电路和一阶温度补偿电路,其特征在于：所述补偿电流产生电路的补偿电流由工作在亚阈区的NMOS管提供，一阶温度补偿电路由增强型NMOS管和耗尽型NMOS管组成，补偿电流产生电路与一阶补偿电路相连接，由补偿电流产生电路中工作在亚阈区的耗尽型NMOS管为一阶补偿电路引入补偿电流。
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