[发明专利]带寄生场效应的LDMOS模型及仿真方法和建模方法在审
| 申请号： | 201210342360.0 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103678740A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带寄生场效应的LDMOS模型，包括第一MOS管和第二MOS，所述第一MOS管的体端电极和所述第二MOS管的体端电极相连、所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极相连、所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极相连，所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极相连。本发明能建立一种较高精度的模型，较好的实现了对器件寄生特性的描述，对提高LDMOS模型在线性区的仿真精度有很好的帮助。另外，本发明还公开了带寄生场效应的LDMOS模型的仿真方法和建模方法。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生 场效应 ldmos 模型 仿真 方法 建模 | ||
【主权项】：
一种带寄生场效应的LDMOS模型，其特征在于，包括第一MOS管和第二MOS，所述第一MOS管的体端电极和所述第二MOS管的体端电极相连、所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极相连、所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极相连，所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极相连。
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