[发明专利]带寄生场效应的LDMOS模型及仿真方法和建模方法在审
| 申请号： | 201210342360.0 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103678740A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 寄生 场效应 ldmos 模型 仿真 方法 建模 | ||
1.一种带寄生场效应的LDMOS模型，其特征在于，包括第一MOS管和第二MOS，所述第一MOS管的体端电极和所述第二MOS管的体端电极相连、所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极相连、所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极相连，所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极相连。
2.如权利要求1所述的带寄生场效应的LDMOS模型，其特征在于，所述漏极和所述源极分别串联一电阻。
3.一种带寄生场效应的LDMOS的仿真方法，其特征在于，利用如权利要求1所述带寄生场效应的LDMOS模型进行LDMOS仿真。
4.如权利要求3所述的仿真方法，其特征在于，所述的第一MOS管用spice仿真器中自带的Bsim3模型来描述。
5.如权利要求3所述的仿真方法，其特征在于，所述的第二MOS管用spice仿真器中自带的Bsim3模型来描述。
6.一种带寄生场效应的LDMOS建模方法，其特征在于，包括：
步骤1、用第一MOS管来模拟LDMOS；
步骤2、用第二MOS管来模拟所述LDMOS中的寄生MOS；其中，定义从所述LDMOS中源区到漏区的方向为LDMOS的沟道的长度方向，则垂直于沟道长度方向为沟道的宽度方向，所述寄生MOS的多晶栅为所述LDMOS的多晶栅沿沟道宽度方向超出源区覆盖在场氧的部分；被所述寄生MOS的多晶硅栅所覆盖的P阱部分用于形成所述寄生MOS管的沟道，所述寄生MOS的源区以及漏区与所述LDMOS共用；
步骤3、将所述第一MOS管的体端电极、漏极、源极和栅极分别同所述第二MOS管并联，同时所述漏极和所述源极分别串联一电阻，建立模型。
7.如权利要求6所述的带寄生场效应的LDMOS建模方法，其特征在于，还包括：通过对所述步骤3中结构的仿真及与将仿真曲线同实测数据进行对比，确定模型准确性。
8.如权利要求6所述的带寄生场效应的LDMOS建模方法，其特征在于，步骤1中所述的第一MOS管用spice仿真器中自带的Bsim3模型来描述。
9.如权利要求6所述的带寄生场效应的LDMOS建模方法，其特征在于，步骤1中所述的第二MOS管用spice仿真器中自带的Bsim3模型来描述。
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