[发明专利]一种全固态薄膜锂离子电池的封装方法,其用封装材料以及该封装材料的制备方法有效
申请号: | 201210338375.X | 申请日: | 2012-09-13 |
公开(公告)号: | CN102832412A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 钟小亮;王广欣;王树森 | 申请(专利权)人: | 苏州晶纯新材料有限公司 |
主分类号: | H01M10/058 | 分类号: | H01M10/058;H01M2/02;H01M2/08;C23C14/06;C23C14/35 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 汪青 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种全固态薄膜锂离子电池的封装方法,其用封装材料及封装材料的制备方法,该封装方法是以待封装的全固态薄膜锂离子电池为衬底,通过射频磁控溅射方法在其外表面依次形成厚度为30~500nm的硅氮化合物层和厚度为30~500nm的硅氧化合物层。封装材料即为厚度为30~500nm的硅氮化合物层和厚度为30~500nm的硅氧化合物层构成的薄膜;封装材料的制备方法同电池的封装方法。本发明解决了现有技术中全固态薄膜锂离子电池的封装层致密度低,环境稳定性差等不足。 | ||
搜索关键词: | 一种 固态 薄膜 锂离子电池 封装 方法 材料 以及 制备 | ||
【主权项】:
一种全固态薄膜锂离子电池的封装方法,其特征在于:所述封装方法是以待封装的全固态薄膜锂离子电池为衬底,通过射频磁控溅射方法在其外表面依次形成厚度为30~500nm的硅氮化合物层和厚度为30~500nm的硅氧化合物层。
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