[发明专利]一种Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201210337309.0 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102832341A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;胡益丰;孙明成 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域的材料，具体涉及一种Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料。本发明提供一种Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料，所述Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料是由铝、锑、硒三种元素组成。本发明的Al-Sb-Se纳米薄膜材料具有如下优点：首先，Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；其次，Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料具有较高的激活能，从而能够极大的改善PCRAM的热稳定性；再次，Al-Sb-Se相变材料中不含有有毒、易挥发的Te元素，因而相比传统的Ge2Sb2Te5材料，对人体和环境的影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 al sb se 纳米 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种Al‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料，所述Al‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料是由铝、锑、硒三种元素组成。
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