[发明专利]半导体元件的特性试验装置和半导体元件的特性试验方法有效

专利信息
申请号: 201210333291.7 申请日: 2012-09-10
公开(公告)号: CN102998606A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 山本浩 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/12
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体元件的特性试验装置和半导体元件的特性试验方法,其在对半导体芯片进行树脂密封的半导体元件中,同时进行树脂密封部(15)的绝缘强度试验和其它特性试验,能够减少试验成本,减少特性试验装置整体的占用面积。使用于对绝缘强度进行试验的电压施加器具(1)与半导体元件的树脂密封部(15)接触,对该电压施加器具(1)施加在静特性试验或动特性试验中施加的高电压,由此在进行特性试验(漏电流试验、耐压特性试验、L负载试验等)的同时进行树脂密封部(15)的绝缘强度试验。
搜索关键词: 半导体 元件 特性 试验装置 试验 方法
【主权项】:
一种半导体元件的特性试验装置,所述半导体元件包括:半导体芯片;该半导体芯片的背面的高电位电极所连接的导电体;与该导电体连接的高电位端子;通过连接导体与所述半导体芯片的低电位侧电极连接的低电位端子;通过连接导体与所述半导体芯片的控制电极连接的控制端子;和树脂密封部,其覆盖所述导电体的正面、所述半导体芯片、所述连接导体,该半导体元件的特性试验装置的特征在于:包括:与所述高电位端子、所述低电位端子、所述控制端子的各端子分别接触的试验探头;经由所述试验探头向所述高电位端子、所述低电位端子、所述控制端子的各端子施加规定的电压的电压施加单元;检测单元,其经由所述试验探头检测所述高电位端子、所述低电位端子、所述控制端子的各端子的电压和电流中的至少一个;根据所述检测结果评价所述半导体元件的特性的评价单元;与所述树脂密封部的正面接触的试验电极;和将该电极与所述半导体元件的高电位端子连接的连接部件,使所述试验探头与所述高电位端子、所述低电位端子、所述控制端子的各端子接触,使所述电极与所述密封树脂部分别接触,利用所述电压施加单元施加规定的电压,所述评价单元基于所述检测值评价所述半导体元件的静特性或动特性中的至少一个,并且评价所述密封树脂部的绝缘强度。
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