[发明专利]一种鳍片场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201210324460.0 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103681272A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种鳍片场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底包括依次层叠的支撑衬底、氧化物绝缘层、半导体材料层；在所述衬底上形成第一硬掩膜层；蚀刻去除部分第一硬掩膜层，以露出所述衬底；在所述露出的衬底上生长所述半导体材料并平坦化，以形成半导体外延层；在所述第一硬掩膜层和所述半导体外延层上形成第二硬掩膜层；图案化第二硬掩膜层，以在所述第一硬掩膜层上和所述半导体外延层上形成鳍片掩膜；以所述图案化了的第二硬掩膜层为掩膜，蚀刻所述第一硬掩膜层、半导体外延层和半导体材料层，以形成鳍片图案；蚀刻去除剩余的所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层，得到不同高度的鳍片。本发明所述方法更加简单、高效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍片场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底包括依次层叠的支撑衬底、氧化物绝缘层、半导体材料层；在所述衬底上形成第一硬掩膜层；蚀刻去除部分所述第一硬掩膜层，以露出所述衬底；在所述露出的衬底上生长所述半导体材料并平坦化，以形成半导体外延层；在所述第一硬掩膜层和所述半导体外延层上形成第二硬掩膜层；图案化所述第二硬掩膜层，以在所述第一硬掩膜层上和所述半导体外延层上形成鳍片掩膜；以所述图案化了的第二硬掩膜层为掩膜，蚀刻所述第一硬掩膜层、半导体外延层和半导体材料层，以形成鳍片图案；蚀刻去除剩余的所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层，得到不同高度的鳍片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
