[发明专利]提高制程能力的方法在审
| 申请号： | 201210312811.6 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102800607A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 孔秋东;简中祥 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高制程能力的方法，包括：选择关联测试点；获取所述关联测试点的栅氧化层厚度，并根据所述栅氧化层厚度估计对应的阈值电压；根据所估计的阈值电压，选择对应的轻掺杂漏区(LDD)离子浓度进行离子注入；反复进行阈值电压估计步骤及离子注入步骤，直至所述阈值电压趋于正态分布。本发明通过当前测量的栅氧化层厚度对离子注入的浓度进行调整，使得各批次间的阈值电压趋于正态分布，从而减小标准偏差，以及提高制程能力，避免了重新设计制程流程，节省了大量的人力和时间，并提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高制程能力的方法，其特征在于，包括：选择关联测试点；获取所述关联测试点的栅氧化层厚度，并根据所述栅氧化层厚度估计对应的阈值电压；根据所估计的阈值电压，选择对应的轻掺杂漏区离子浓度进行离子注入；反复进行阈值电压估计步骤及离子注入步骤，直至所述阈值电压趋于正态分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
