[发明专利]一种太阳能电池制作方法无效
| 申请号： | 201210312717.0 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102790135A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 韩少鹏 | 申请（专利权）人： | 浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214443 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种太阳能电池的制作方法，所述太阳能电池制作方法在制备太阳能电池时，对硅片进行退火处理后再对所述硅片进行制绒。其中，退火的温度小于所述硅片扩散时的工艺温度。通过所述退火处理，控制退火温度，在不改变硅片内杂质再分布的前提下将硅片中沾污片的表面污渍燃烧干净，避免了由于沾污片表面污渍导致的硅片制绒质量差，保证了硅片制绒后绒面的均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池制作方法，其特征在于，对硅片进行退火处理，然后再对所述硅片进行制绒；其中，退火的温度小于所述硅片扩散时的工艺温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
