[发明专利]发光二极管与成长基板分离的方法无效
| 申请号： | 201210301116.X | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103633194A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 颜伟昱;陈复邦;张智松 | 申请（专利权）人： | 联胜光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;常大军 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 种发光二极管与成长基板分离的方法，首先提供一成长基板，该成长基板具有一连接面及一远离该连接面的底面；接着于该连接面上形成多个孔洞；再于该连接面上成长一发光二极管结构，并于该发光二极管结构形成一与该连接面连接的连接部；而后研磨该底面，使该底面内缩与该孔洞连通；最后将一蚀刻液由该孔洞导入该连接部以进行蚀刻，分离该发光二极管结构及该成长基板。据此，本发明利用该孔洞的形成，以研磨及蚀刻的方式分离该发光二极管结构及该成长基板，而具有高工艺良率及降低制造成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 成长 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管与成长基板分离的方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤S1：提供一成长基板，该成长基板具有一连接面及一远离该连接面的底面；步骤S2：于该连接面上形成多个孔洞；步骤S3：于该连接面上成长一发光二极管结构，并于该发光二极管结构形成一与该连接面连接的连接部；步骤S4：研磨该底面，使该底面内缩与该孔洞连通；以及步骤S5：将一蚀刻液由该孔洞导入该连接部以进行蚀刻，分离该发光二极管结构及该成长基板。
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