[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210299452.5 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103632968A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 常建光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面的氮化硅层；位于所述氮化硅层表面的栅电极层，所述氮化硅层与栅介质层相接触表面为第一表面，所述氮化硅层与栅电极层相接触的表面为第二表面，所述第二表面的硅原子百分比浓度比第一表面高；位于所述栅电极层、氮化硅层和栅介质层两侧的半导体衬底表面的侧墙；位于所述栅电极层和侧墙两侧的半导体衬底内的源/漏区。所述晶体管的开启电压减小，功耗降低。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成氮化硅层，所述氮化硅层与栅介质层相接触表面为第一表面，所述氮化硅层与第一表面相对的表面为第二表面，所述第二表面的硅原子百分比浓度比第一表面高；在所述氮化硅层表面形成栅电极层；在所述栅电极层、氮化硅层和栅介质层两侧的半导体衬底表面形成侧墙；在所述栅电极层和侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
