[发明专利]多晶硅电阻及其制造方法

摘要

发明公开了一种多晶硅电阻，在硅衬底上形成有场氧化层，多晶硅电阻设置在ＬＤＭＯＳ器件的漏端的场氧化层之上；在宽度方向上，多晶硅电阻的两端分别形成有第一电阻电极和第二电阻电极，漏区的两端的相同宽度位置上分别形成第一漏端电极和第二漏端电极，在使用过程中，第一漏端电极和第一电阻电极所加的电压相同，第二漏端电极和第二电阻电极所加的电压相同。本发明还公开了一种多晶硅电阻的制造方法。本发明能提高多晶硅电阻的工作电压，使多晶硅电阻能在700V或-700V以上的偏压下工作。

主权项

一种多晶硅电阻，其特征在于：在硅衬底上形成有场氧化层，多晶硅电阻设置在ＬＤＭＯＳ器件的漏端的场氧化层之上；从所述ＬＤＭＯＳ器件的源区到漏区的方向为长度方向、和该长度方向垂直且和所述硅衬底表面平行的方向为宽度方向，在宽度方向上，所述多晶硅电阻的两端分别形成有第一电阻电极和第二电阻电极、所述漏区的两端分别形成有第一漏端电极和第二漏端电极，所述第一漏端电极和所述第一电阻电极位于同一长度方向的连线上、所述第二漏端电极和所述第二电阻电极位于同一长度方向的连线上，所述漏区和所述多晶硅电阻不相连；在使用过程中，所述第一漏端电极和所述第一电阻电极所加的电压相同，所述第二漏端电极和所述第二电阻电极所加的电压相同，所述ＬＤＭＯＳ器件的源极、栅极、沟道区引出电极以及硅衬底电极上所加电压为零。