[发明专利]沟槽型双层栅MOS中的多晶硅之间的氮化膜形成方法

摘要

发明公开了一种沟槽型双层栅MOS中的多晶硅之间的氮化膜形成方法，包括：1）沟槽刻蚀；2）介质层生长；3）生长第一层多晶硅；4）第一层多晶硅进行第一步反刻蚀；5）对第一层多晶硅进行光刻及第二步反刻蚀；6）淀积氮化膜；7）淀积HDP氧化膜后，化学机械抛光；8）P-cover光刻；9）HDP氧化膜反刻蚀；10）去除氮化膜的保护层上方的氮化膜；11）去除氮化膜的保护层和氮化膜上方的介质层；12）栅极氧化层生长；13）第二层多晶硅淀积与反刻蚀；14）形成基极和源极；15）形成接触孔、金属和钝化层。本发明解决了两层多晶硅之间介质层厚度难以控制的问题，提高了沟槽型双层栅功率MOS器件性能的稳定性。

主权项

一种沟槽型双层栅MOS中的两层多晶硅之间的氮化膜介质层的形成方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅片上进行沟槽刻蚀；2）在沟槽内壁和硅片表面进行介质层生长；3）在沟槽内的介质层上，生长第一层多晶硅；4）对第一层多晶硅进行第一步反刻蚀；5）对第一层多晶硅进行光刻及第二步反刻蚀；6）在介质层和第一层多晶硅上，淀积氮化膜；7）在沟槽内，淀积高密度等离子体氧化膜后，进行化学机械抛光至氮化膜表面；8）P‑cover光刻；9）高密度等离子体氧化膜反刻蚀，露出沟槽顶部及侧壁的氮化膜，并在沟槽底部，保留部分高密度等离子体氧化膜作为沟槽底部氮化膜的保护层；10）刻蚀去除氮化膜的保护层上方的氮化膜；11）去除氮化膜的保护层和氮化膜上方的介质层；12）栅极氧化层生长；13）第二层多晶硅淀积与反刻蚀；14）形成基极和源极；15）形成接触孔、金属和钝化层。