[发明专利]改善钨栓化学机械研磨表现的方法无效
| 申请号： | 201210292663.6 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102810473A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善钨栓化学机械研磨表现的方法，包括：执行步骤S1：提供介质材料衬底；执行步骤S2：在所述介质材料衬底之顶层沉积所述氮化硅薄膜；执行步骤S3：光刻、刻蚀、去胶清洗，并进行扩散阻挡层沉积和金属钨沉积填充层制备；执行步骤S4：通过所述化学机械研磨去除冗余的金属钨沉积填充层；执行步骤S5：采用热磷酸去除残留的氮化硅薄膜。通过本发明所述改善钨栓化学机械研磨表现的方法所获得的钨栓接触孔或通孔平整、均匀、无溃蚀和凹陷等缺陷，且所述钨栓接触孔或通孔的近圆度有一定提高，并增大了后续光刻工艺窗口，增大后续工艺的稳定度；所述改善钨栓化学机械研磨表现的方法不仅提高金属钨沉积填充层研磨的均匀性和可控性，而且降低缺陷，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 化学 机械 研磨 表现 方法 | ||
【主权项】：
一种改善钨栓化学机械研磨表现的方法，其特征在于，所述改善钨栓化学机械研磨表现的方法包括：执行步骤S1：提供介质材料衬底，所述介质材料衬底用于刻蚀形成所述金属互连中的接触孔或通孔；执行步骤S2：在所述介质材料衬底之顶层沉积作为所述化学机械研磨工艺的终点阻挡层的所述氮化硅薄膜；执行步骤S3：对所述具有氮化硅薄膜的介质材料衬底进行光刻、刻蚀、去胶清洗，并进行扩散阻挡层沉积和金属钨沉积填充层制备；执行步骤S4：通过所述化学机械研磨去除冗余的金属钨沉积填充层，所述化学机械研磨停止在所述氮化硅薄膜上；执行步骤S5：采用热磷酸去除残留的氮化硅薄膜，以获得由所述钨栓形成的钨栓互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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