[发明专利]制造集成电路元件的方法有效
| 申请号： | 201210291013.X | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102915945A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 林丰隆;吴冠良;梁哲荣;蔡飞国 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;G03F1/38;G03F1/42 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种制造集成电路元件的方法，其包括以下步骤：(1)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后，为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成电路 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路元件的方法，其特征在于，其中该集成电路元件具有多个层结构，将该些层结构至少区分为一第一子集和一第二子集，该制造集成电路元件的方法包括以下步骤：为该第一子集制造至少一多层光罩，其中该多层光罩具有多个图案，该些图案彼此不同，以分别对应该第一子集中的该些层结构；为该第二子集制造至少一第一投产光罩，其中该第一投产光罩包含多个图案，该些图案彼此相同；使用该多层光罩和该第一投产光罩，进行试制；在试制后，为该第一子集制造至少一第二投产光罩；以及使用该第一投产光罩和该第二投产光罩，制造该集成电路元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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