[发明专利]硅片表面钝化方法

摘要

硅片表面钝化方法，涉及太阳能光伏硅片检测技术领域，包括：将清洗后的硅片放入化学抛光液中，进行化学抛光以去除硅片表面损伤层，其中抛光液的配比为氢氟酸：硝酸=1:3～6；2～5分钟后从抛光液中取出用去离子水漂洗干净；将抛光后的硅片放入塑料自封袋中，用滴管吸取配制好的钝化液滴入装有硅片的自封袋中，同时将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，其中钝化液的配比为高纯固体碘：无水酒精=1g：50～100ml；10～20分钟后放入WT－2000少子寿命测试仪中进行测试，少子寿命会有明显提升。本发明的有益效果是：解决了硅片少子寿命测量误差偏大导致质量误判的问题，硅片表面钝化可以有效地降低表面少子寿命复合率，少子寿命提高10～30倍，真实的反应出硅片的质量。

主权项

硅片表面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：a将清洗后的硅片放入化学抛光液中进行化学抛光2～5分钟，去除表面损伤层；其中，所述抛光液配比为氢氟酸：硝酸=1:3～6，所述氢氟酸浓度为38～50%；硝酸浓度为55～70%；b漂洗干净；所述漂洗指用去离子水进行漂洗；c装入塑料自封袋，将配制好的钝化液用滴管慢慢滴入塑料袋中进行钝化，钝化时间为10～20分钟；所述钝化液的配比为高纯固体碘：无水酒精=1g：50～100ml；固体碘的纯度为99.5～99.9%；d将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，放入WT－2000中进行少子寿命测试。