[发明专利]硅片表面钝化方法

说明书

技术领域

本发明属于太阳能光伏硅片测试领域，具体涉及一种硅片表面钝化的方法及钝化液的配制。

背景技术

少子寿命是表征硅晶体质量的主要参数之一，使用WT－2000微波光电导衰减法（μ－PCD）测得的硅片的少子寿命是有效少子寿命，它包含两部分：体复合寿命和表面复合寿命。当硅片很薄时，表面复合寿命要远远小于体复合寿命，此时测得的有效寿命近似等于表面复合寿命，因此表面复合对少子寿命的影响很大。生产时由于硅片表面的氧化层和杂质的影响，表面复合速率如果大于10cm/s，所测得的有效寿命就会与体寿命偏差很大，对质量判定产生影响。为了降低硅片表面的复合率，使测试的有效寿命趋向于体寿命，需要对测试的硅片进行表面钝化，以减少表面复合对有效寿命的影响。

发明内容

本发明提供了一种硅片表面钝化方法，解决了硅片少子寿命测量误差偏大导致质量误判的问题，进行少子寿命测试，可真实的反应出硅片的质量。

本发明的目的是通过以下方案实现的：

硅片表面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：a将清洗后的硅片放入化学抛光液中进行化学抛光2～5分钟，去除表面损伤层；其中，所述抛光液配比为氢氟酸：硝酸=1:3～6，所述氢氟酸浓度为38～50%；硝酸浓度为55～70%；b漂洗干净；所述漂洗指用去离子水进行漂洗；c装入塑料自封袋，将配制好的钝化液用滴管慢慢滴入塑料袋中进行钝化，钝化时间为10～20分钟；所述钝化液的配比为高纯固体碘：无水酒精=1g：50～100ml；固体碘的纯度为99.5～99.9%；d将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，放入WT－2000中进行少子寿命测试。

本发明还可通过以下方案进一步实现：

所述去除表面损伤层指硅片表面单面腐蚀厚度为3～6μm。

所述去离子水的电导率为10μs/cm以上。

所述钝化要求硅片与钝化液充分接触。

所述少子寿命测试前需将塑料袋内的气泡排除干净。

本发明的有益效果是：硅片表面钝化可以有效地降低表面复合率，使测试的有效寿命趋向于体寿命，减少了有效寿命与体寿命的偏差，有效少子寿命是钝化前的10～30倍，真实地反应出硅片的质量。同时该方法操作简单，为质量检测提供了一种便捷有效的硅片少子寿命测试的方法。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例对本发明作进一步详细的说明。

实施例1：

将清洗后的多晶156mm*156mm硅片，放入化学抛光液中，进行化学抛光以去除硅片表面损伤层，其中抛光液的配比为氢氟酸：硝酸=1:3；2分钟后从抛光液中取出，用电导率为10μs/cm的去离子水漂洗干净，硅片单面腐蚀厚度为3±0.3微米；将抛光后的硅片放入塑料自封袋中，用滴管吸取配制好的钝化液滴入装有硅片的自封袋中，同时将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，其中钝化液的配比为高纯固体碘：无水酒精=1g：50ml,用玻璃棒不断搅拌使固体碘充分溶解在酒精中；钝化10分钟后将袋内的气泡排除干净并封上袋口，放入WT－2000少子寿命测试仪中进行测试。

钝化前测试少子寿命为1.5μs的硅片，经钝化后再次测试提高到18μs。

实施例2：

将清洗后的多晶156mm*156mm硅片，放入化学抛光液中，进行化学抛光以去除硅片表面损伤层，其中抛光液的配比为氢氟酸：硝酸=1:6；5分钟后从抛光液中取出，用电导率为14μs/cm的去离子水漂洗干净，硅片单面腐蚀厚度为6±0.3微米；将抛光后的硅片放入塑料自封袋中，用滴管吸取配制好的钝化液滴入装有硅片的自封袋中，同时将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，其中钝化液的配比为高纯固体碘：无水酒精=1g：100ml,用玻璃棒不断搅拌使固体碘充分溶解在酒精中；钝化20分钟后将袋内的气泡排除干净并封上袋口，放入WT－2000少子寿命测试仪中进行测试。

钝化前测试少子寿命为1.5μs的硅片，经钝化后再次测试提高到24μs。

实施例3：