[发明专利]一种双多晶的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种双多晶的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区，形成HBT器件；光刻NMOS和PMOS器件有源区沟槽，在NMOS和PMOS器件有源区沟槽中分别连续生长Si缓冲层、渐变SiGe层、固定组分SiGe层、N型应变Si沟道层和Si缓冲层、渐变SiGe层、固定组分SiGe层、应变Si P-LDD层、应变Si沟道层、应变Si P-LDD层、固定组分SiGe层，制备漏极和栅极，形成PMOS器件；制备NMOS器件栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件；构成MOS导电沟道为22～45nm的应变Si BiCMOS集成器件及电路；本发明充分利用了应变Si材料迁移率各向异性的特点，在600～800℃，制备出了性能增强的应变Si BiCMOS集成电路。

主权项

一种双多晶的应变Si BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变Si平面沟道，PMOS器件为应变Si垂直沟道，双极器件基区为SiGe材料。