[发明专利]一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法，首先制备SOI衬底，刻蚀双极器件有源区，生长双极器件集电区，光刻基区区域，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，形成发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；光刻MOS有源区，在该区域连续生长Si缓冲层、应变SiGe层、本征Si层，分别形成NMOS和PMOS器件有源区，在NMOS和PMOS器件有源区淀积SiO2和多晶硅，通过刻蚀制备长度为22～350nm的伪栅，采用自对准工艺形成NMOS和PMOS器件的轻掺杂源漏和源漏，然后去除伪栅，制备形成栅介质氧化镧和金属钨形成栅极，最后金属化，光刻引线，形成BiCMOS集成器件及电路。本发明采用了轻掺杂源漏结构，有效地抑制了热载流子对器件性能的影响，提高了器件的可靠性。

主权项

一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件，其特征在于，所述BiCMOS集成器件采用双多晶SiGe HBT器件，应变SiGe平面沟道NMOS器件和应变SiGe平面沟道PMOS器件。