[发明专利]一种低介电材料的表面改性工艺无效
| 申请号： | 201210237331.8 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102718226A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 唐建新;朱钧钧;李艳青 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C01B33/159 | 分类号： | C01B33/159 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种低介电材料的表面改性工艺，该工艺通过将由旋涂法制得的二氧化硅湿凝胶薄膜浸润在改性溶液中进行表面改性处理，然后再通过大气环境下的热处理，制备出具有低介电常数的二氧化硅薄膜材料。该工艺中由于直接用溶剂浸润和热处理两种简单方便的工艺就能降低材料介电系数的方法，因此材料的孔隙率仍维持在较低的水平，机械强度可以保持较高的水准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 材料 表面 改性 工艺 | ||
【主权项】：
一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于，包括步骤：以酸性水解和碱性缩聚两步法制备硅酸盐溶胶；在衬底表面旋涂所述硅酸盐溶胶，形成带孔的湿凝胶薄膜，并进行老化处理；使用正己烷置换所述湿凝胶薄膜孔中的乙醇流体；以溶有三甲基氯硅烷的正己烷对湿凝胶薄膜进行表面改性处理；对表面改性之后的胶体进行干燥，并在大气环境中进行热处理，得到低介电的SiO2薄膜。
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