[发明专利]产生集成电路模型的方法有效

专利信息
申请号: 201210235529.2 申请日: 2012-07-09
公开(公告)号: CN103207925A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 李孟蓉;王鼎雄;罗幼岚;高淑怡 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;吕俊清
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种产生集成电路模型的方法,根据电路连接布局、隔离单元拓朴、端口电压规格文件来产生集成电路测试模型,可使产生模型的过程摆脱人为因素造成的耗时或错误等缺点。除此以外,在追踪电路连接布局内节点的电流路径的过程中,加上部分限制,可使得所产生的集成电路测试模拟模型更为精确。
搜索关键词: 产生 集成电路 模型 方法
【主权项】:
一种产生集成电路模型的方法,包含:根据一电路连接布局与一隔离单元拓朴产生一电路隔离节点文件;根据该电路连接布局与一端口电压规格文件,产生一界面节点电压布局;及根据该电路隔离节点文件与该界面节点电压布局,产生一集成电路电压模型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞昱半导体股份有限公司,未经瑞昱半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210235529.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top