[发明专利]产生集成电路模型的方法

权利要求书

1.一种产生集成电路模型的方法，包含：

根据一电路连接布局与一隔离单元拓朴产生一电路隔离节点文件；

根据该电路连接布局与一端口电压规格文件，产生一界面节点电压布局；及

根据该电路隔离节点文件与该界面节点电压布局，产生一集成电路电压模型。

2.如权利要求1所述的方法，其中根据该电路连接布局与该隔离单元拓朴产生该电路隔离节点文件包含：

执行一指令集程序中包含的至少一第一指令，并以该电路连接布局与该隔离单元拓朴作为该至少一第一指令的输入参数，以产生该电路隔离节点文件；及

其中根据该电路连接布局与该端口电压规格文件，产生该界面节点电压布局包含：

执行该指令集程序中包含的至少一第二指令，并以该电路连接布局与该端口电压规格文件作为该至少一第二指令的输入参数，以产生该界面节点电压布局。

3.如权利要求1所述的方法，其中根据该电路连接布局与该端口电压规格文件，产生该界面节点电压布局包含：

追踪该电路连接布局所包含的一节点在该电路连接布局中的电流路径，并根据该端口电压规格文件中所记录该电路连接布局所包含的各节点的电压规格，决定该节点对应的一电源节点与一接地节点；及

记录该节点以及其所对应的该电源节点与该接地节点，以产生该界面节点电压布局。

4.如权利要求3所述的方法，其中追踪该电路连接布局所包含的该节点在该电路连接布局中的电流路径，并根据该端口电压规格文件中所记录该电路连接布局所包含的各节点的电压规格，决定该节点对应的该电源节点与该接地节点包含：

当该节点被设定为一输入节点时，禁止追踪该节点的电流路径在该电路连接布局中所经的金氧半晶体管的源极或漏极。

5.如权利要求3所述的方法，其中追踪该电路连接布局所包含的该节点在该电路连接布局中的电流路径，并根据该端口电压规格文件中所记录该电路连接布局所包含的各节点的电压规格，决定该节点对应的该电源节点与该接地节点包含：

当该节点被设定为一输出节点时，禁止追踪该节点的电流路径在该电路连接布局中所经的金氧半晶体管的栅极。

6.如权利要求3所述的方法，其中追踪该电路连接布局所包含的该节点在该电路连接布局中的电流路径，并根据该端口电压规格文件中所记录该电路连接布局所包含的各节点的电压规格，决定该节点对应的该电源节点与该接地节点包含：

当该节点的电流路径在该电路连接布局中经在该电路连接布局中的一低压降线性稳压器时，将该低压降线性稳压器的一输入端或一输出端设定为该节点的该电源节点；及

追踪该低压降线性稳压器的该输入端或该输出端在该电路连接布局中的电流路径。

7.如权利要求1所述的方法，其中根据该电路连接布局与该隔离单元拓朴产生该电路隔离节点文件包含：

追踪该电路连接布局所包含的一节点在该电路连接布局中的电流路径，并根据该隔离单元拓朴所记录的隔离元件的元件连结特征以及至少一个隔离点，确认该节点在该电路连接布局中的电流路径是否经一隔离元件；及

当确认该节点在该电路流经布局中的电流路径流经一隔离元件时，记录该隔离元件，以产生该电路隔离节点文件。

8.如权利要求7所述的方法，其中追踪该电路连接布局所包含的该节点在该电路连接布局中的电流路径，并根据该隔离单元拓朴中所记录的隔离元件的元件连结特征以及该至少一个隔离点，确认该节点在该电路连接布局中的电流路径是否经一隔离元件包含：

当该节点在该电路连接布局中的电流路径所经的一元件具有连接至该至少一个隔离点的其中的一隔离点的一输入端时，判断该元件符合该隔离单元拓朴所记录的隔离元件的元件连结特征而为一隔离元件。

9.如权利要求1所述的方法，另包含：

根据该界面节点电压布局与该端口电压规格文件，决定该界面节点电压布局包含的多组节点群集的模拟电压，其中该多组节点群集的每一节点群集包含一节点及该节点对应的一电源节点与一接地节点；及

根据该多组节点群集的模拟电压，产生一集成电路功能方块测试模型。

10.如权利要求1所述的方法，其中根据该电路隔离节点文件与该界面节点电压布局，产生该集成电路电压测试模型包含：

以一电源关闭节点文件更新该界面节点电压布局，以产生已更新的一界面节点电压布局；及

根据该电路隔离节点文件与已更新的该界面节点电压布局，产生该集成电路电压测试模型。